• (a) Os bits de endereços são paralelados e aplicados aos pinos de endereçamento da memória.
  
• (b) Os terminais CS(Chip Select) e R/W(Read/Write) são interligados de modo a selecionar e habilitar as memórias ao mesmo tempo.
  
• (c) Os pinos de dados de cada memória são ligados ao barramento de dados conforme a participação dos bits  de dados da memória na formação da palavra.
  

Uma memória de N bits por  palavra é obtida através da ligação de N chips de memória, com um bit por palavra, em paralelo.


Aumento da Capacidade
Aumentar a capacidade de uma memória significa aumentar a quantidade de palavras armazenadas na memória.A Fig.2 mostra o aumento da capacidade de uma memória.

Memória 32X4-palavrasXbits com CIs 16X4-palavrasXbits

• Os pinos dos bits inferiores do endereço são paralelados e interligados aos pinos de endereçamento dos chips de memória.
  
• Os pinos dos bits superiores do endereço são entradas de um decodificador cujas saídas habilitam as entradas CS cada chip de memória que está sendo acessado.
  
• Os pinos R/W de cada memória  são interligados e conectados à linha R/W.
  
• Os pinos de dados de cada memória são conectados às linhas correspondentes do barramento de dados. As memórias não selecionadas devem ter as saídas de dados em alta impedância.
  

Memória 8K X 8-palavrasXbits com CIs 2K X 8-palavrasXbits

	Questões de Revisão Resolva um teste on-line sobre o assunto acima e veja seu aproveitamento na matéria.